仪器主要功能用途及参数 一、半导体参数分析仪 1. 技术指标系统具备不少于3个高精度源测量单元(SMU)单元 及1个预留接口; 2. SMU 可进行快速 I-V-T 采样,采样率可达 1.8M,存储量可达≥10 万个点; 3. SMU 的最大电压源≥200 V,最小电压测量分辨率≤0.2uV,电压测量精度≤0.016%+30mV; 4. 最大直流功率≥20W,最大脉冲功率≥400W,脉冲模式下的最短脉冲 5. 半导体参数分析仪主机含嵌入式 PC:操作系统至少要 Windows 10 或者以上,图形化全套测试软件,至少要有一个接口可以外接显示器; 6. 最大直流功率≥20 W,最大脉冲功率≥400 W,脉冲模式下的最短脉冲宽度≤50μs; 二、探针平台(包含显微镜) 1. 满足 I-V/C-V,PIV 测试,光电测试等,最大可用于 4 英寸以内样品测试,同轴丝杠传动结构,线性移动; 2. 水平旋转:可360 度旋转;可微调 15 度,精度≤ 0.1 度,带角度锁死装置; 3. X-Y 移动行程:≥4 英寸*4 英寸;X-Y移动精度 ≤10 微米; 4. 样品固定:真空吸附; 5. 背电极测试:样品台电学独立悬空,直径约为4 mm 插孔可接背电极; 6. 光学系统: 单筒显微镜 / 体式显微镜 放大倍数≤16X~≥100X; 7. 移动行程:水平方向绕立柱 360 度旋转,Z 轴 50.8 mm。 三、探针座 1. 尺寸: ≤115 mm 长*100 mm 宽*112 mm 高; 2. 磁力吸附:带磁力开关; 3. X-Y-Z 方向的移动行程分别为 ≥12 mm; 4. 瑞士制造精密牙具 移动精度 ≤0.7 微米。 |